Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > 2SJ652-1E
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2724194Зображення 2SJ652-1EAMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SJ652-1E

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.32
50+
$1.874
100+
$1.687
500+
$1.312
1000+
$1.087
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    2SJ652-1E
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    2SJ652-1E.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    -
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220F-3SG
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    38 mOhm @ 14A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2W (Ta), 30W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Інші імена
    2SJ652-1E-ND
    2SJ652-1EOS
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    7 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4360pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    P-Channel 60V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    28A (Ta)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "2SJ652-1E".
2SJ652-RA11

2SJ652-RA11

Опис: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ648-T1-A

2SJ648-T1-A

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ599(0)-ZK-E1-AY

2SJ599(0)-ZK-E1-AY

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ599(0)-Z-E2-AZ

2SJ599(0)-Z-E2-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ652

2SJ652

Опис: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ601(0)-Z-E1-AZ

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ600-Z-E1-AZ

2SJ600-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ665-DL-E

2SJ665-DL-E

Опис: MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ661-1E

2SJ661-1E

Опис: MOSFET P-CH 60V 38A

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ661-DL-E

2SJ661-DL-E

Опис: MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ656

2SJ656

Опис: MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ661-DL-1EX

2SJ661-DL-1EX

Опис: MOSFET P-CH D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

Опис: MOSFET P-CH 60V 38A

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ598(0)-Z-E1-AZ

2SJ598(0)-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ665-DL-1EX

2SJ665-DL-1EX

Опис: MOSFET P-CH 100V 27A TO263

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ649-AZ

2SJ649-AZ

Опис: MOSFET P-CH 60V 20A TO-220

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ599(0)-Z-E1-AZ

2SJ599(0)-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ661-1EX

2SJ661-1EX

Опис: MOSFET P-CH I2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ610(TE16L1,NQ)

2SJ610(TE16L1,NQ)

Опис: MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
2SJ652-1EX

2SJ652-1EX

Опис: MOSFET P-CH TO-220FP-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.