Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > 2SJ661-DL-E
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2296388Зображення 2SJ661-DL-EAMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SJ661-DL-E

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    2SJ661-DL-E
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SMP-FD
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    39 mOhm @ 19A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.65W (Ta), 65W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4360pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    P-Channel 60V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount SMP-FD
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    38A (Ta)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "2SJ661-DL-E".
2SJ673-AZ

2SJ673-AZ

Опис: MOSFET P-CH 60V 36A TO-220

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ681(Q)

2SJ681(Q)

Опис: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
2SJ648-T1-A

2SJ648-T1-A

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ649-AZ

2SJ649-AZ

Опис: MOSFET P-CH 60V 20A TO-220

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ652-1EX

2SJ652-1EX

Опис: MOSFET P-CH TO-220FP-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ668(TE16L1,NQ)

2SJ668(TE16L1,NQ)

Опис: MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
2SJ661-1E

2SJ661-1E

Опис: MOSFET P-CH 60V 38A

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ600-Z-E1-AZ

2SJ600-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ652

2SJ652

Опис: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ661-DL-1EX

2SJ661-DL-1EX

Опис: MOSFET P-CH D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ665-DL-1EX

2SJ665-DL-1EX

Опис: MOSFET P-CH 100V 27A TO263

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ610(TE16L1,NQ)

2SJ610(TE16L1,NQ)

Опис: MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
2SJ687-ZK-E1-AY

2SJ687-ZK-E1-AY

Опис: MOSFET P-CH 20V 20A TO-252

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ652-RA11

2SJ652-RA11

Опис: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

Опис: MOSFET P-CH 60V 38A

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ601(0)-Z-E1-AZ

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
2SJ656

2SJ656

Опис: MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ665-DL-E

2SJ665-DL-E

Опис: MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ652-1E

2SJ652-1E

Опис: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SJ661-1EX

2SJ661-1EX

Опис: MOSFET P-CH I2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.