Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > W947D2HBJX6E TR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3965764Зображення W947D2HBJX6E TRWinbond Electronics Corporation

W947D2HBJX6E TR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$2.656
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    W947D2HBJX6E TR
  • Виробник / марка
    Winbond Electronics Corporation
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    W947D2HBJX6E TR.pdf
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    15ns
  • Напруга - Постачання
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Технологія
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Пакет пристрою постачальника
    90-VFBGA (8x13)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    90-TFBGA
  • Інші імена
    W947D2HBJX6E TR-ND
    W947D2HBJX6ETR
  • Робоча температура
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    128Mb (4M x 32)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Часова частота
    166MHz
  • Час доступу
    5ns

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29

Тарифна загроза Трампа, Nvidia, пос...

2024/11/28

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "W947D2HBJX6E TR".
W948D2FBJX5E TR

W948D2FBJX5E TR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W948D2FBJX5I

W948D2FBJX5I

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9464G6KH-5

W9464G6KH-5

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W948D2FBJX5I TR

W948D2FBJX5I TR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9464G6KH-5I

W9464G6KH-5I

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.