Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIE810DF-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5153831Зображення SIE810DF-T1-E3Vishay Siliconix

SIE810DF-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$1.649
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIE810DF-T1-E3
  • Виробник / марка
    Vishay / Siliconix
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIE810DF-T1-E3.pdf
  • Напруга - випробування
    13000pF @ 10V
  • Напруга - розбивка
    10-PolarPAK® (L)
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.4 mOhm @ 25A, 10V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серія
    TrenchFET®
  • Статус RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    60A (Tc)
  • Поляризація
    10-PolarPAK® (L)
  • Інші імена
    SIE810DF-T1-E3TR
    SIE810DFT1E3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Номер деталі виробника
    SIE810DF-T1-E3
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    300nC @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    2V @ 250µA
  • Особливість FET
    N-Channel
  • Розгорнутий опис
    N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    -
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    20V
  • Коефіцієнт ємності
    5.2W (Ta), 125W (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIE810DF-T1-E3".
SIE800DF-T1-E3

SIE800DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE816DF-T1-E3

SIE816DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE808DF-T1-E3

SIE808DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE810DF-T1-GE3

SIE810DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE812DF-T1-E3

SIE812DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIE818DF-T1-E3

SIE818DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE818DF-T1-GE3

SIE818DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE812DF-T1-GE3

SIE812DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE802DF-T1-E3

SIE802DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE806DF-T1-E3

SIE806DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE726DF-T1-GE3

SIE726DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE804DF-T1-GE3

SIE804DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE822DF-T1-E3

SIE822DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE816DF-T1-GE3

SIE816DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE800DF-T1-GE3

SIE800DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE808DF-T1-GE3

SIE808DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE802DF-T1-GE3

SIE802DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE820DF-T1-GE3

SIE820DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE820DF-T1-E3

SIE820DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE806DF-T1-GE3

SIE806DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.