Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIE820DF-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5834608Зображення SIE820DF-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIE820DF-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$3.62
10+
$3.229
100+
$2.648
500+
$2.144
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIE820DF-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIE820DF-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    10-PolarPAK® (S)
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3.5 mOhm @ 18A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    5.2W (Ta), 104W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    10-PolarPAK® (S)
  • Інші імена
    SIE820DF-T1-GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4300pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    143nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIE820DF-T1-GE3".
SIE836DF-T1-E3

SIE836DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE818DF-T1-E3

SIE818DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE812DF-T1-GE3

SIE812DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE810DF-T1-GE3

SIE810DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE820DF-T1-E3

SIE820DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE818DF-T1-GE3

SIE818DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE830DF-T1-GE3

SIE830DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE832DF-T1-GE3

SIE832DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE832DF-T1-E3

SIE832DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE816DF-T1-E3

SIE816DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE844DF-T1-GE3

SIE844DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE822DF-T1-E3

SIE822DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE822DF-T1-GE3

SIE822DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE812DF-T1-E3

SIE812DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIE844DF-T1-E3

SIE844DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE830DF-T1-E3

SIE830DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE810DF-T1-E3

SIE810DF-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIE816DF-T1-GE3

SIE816DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE808DF-T1-GE3

SIE808DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIE836DF-T1-GE3

SIE836DF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.