Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > TPH1110ENH,L1Q
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
229764Зображення TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and Storage

TPH1110ENH,L1Q

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
5000+
$0.691
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    TPH1110ENH,L1Q
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    TPH1110ENH,L1Q.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SOP Advance (5x5)
  • Серія
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    114 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.6W (Ta), 42W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerVDFN
  • Інші імена
    TPH1110ENH,L1Q(M
    TPH1110ENHL1QTR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    600pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    200V
  • Детальний опис
    N-Channel 200V 7.2A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7.2A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "TPH1110ENH,L1Q".
TPH-250

TPH-250

Опис: FUSE CRTRDGE 250A 170VDC CYLINDR

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH-70

TPH-70

Опис: FUSE CRTRDGE 70A 170VDC CYLINDR

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH1R204PL,L1Q

TPH1R204PL,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 40V 150A

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH11006NL,LQ

TPH11006NL,LQ

Опис: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH-450

TPH-450

Опис: FUSE CRTRDGE 450A 170VDC CYLINDR

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH1R403NL,L1Q

TPH1R403NL,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH-600

TPH-600

Опис: FUSE CRTRDGE 600A 170VDC CYLINDR

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH11003NL,LQ

TPH11003NL,LQ

Опис: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH-500

TPH-500

Опис: FUSE CRTRDGE 500A 170VDC CYLINDR

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH-400

TPH-400

Опис: FUSE CRTRDGE 400A 170VDC CYLINDR

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH1110FNH,L1Q

TPH1110FNH,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH-300

TPH-300

Опис: FUSE CRTRDGE 300A 170VDC CYLINDR

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH2900ENH,L1Q

TPH2900ENH,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 200V 33A SOP8

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH1400ANH,L1Q

TPH1400ANH,L1Q

Опис: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH1R005PL,L1Q

TPH1R005PL,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 45V 150A

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH-80

TPH-80

Опис: FUSE CRTRDGE 80A 170VDC CYLINDR

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH12008NH,L1Q

TPH12008NH,L1Q

Опис: MOSFET N CH 80V 24A SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH14006NH,L1Q

TPH14006NH,L1Q

Опис: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH1R712MD,L1Q

TPH1R712MD,L1Q

Опис: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.