Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > TPC8026(TE12L,Q,M)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5999305

TPC8026(TE12L,Q,M)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    TPC8026(TE12L,Q,M)
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf
    2.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    6.6 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1800pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 13A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "TPC8026(TE12L,Q,M)".
TPC8.2AHM3_A/H

TPC8.2AHM3_A/H

Опис: TVS DIODE SMPC TO-277A

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
TPC8.2AHM3/87A

TPC8.2AHM3/87A

Опис: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8038-H(TE12L,Q)

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8.2HM3/87A

TPC8.2HM3/87A

Опис: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)

Опис: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8048-H(TE12L,Q)

TPC8048-H(TE12L,Q)

Опис: MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8062-H,LQ(CM

TPC8062-H,LQ(CM

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8018-H(TE12LQM)

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8.2AHM3_A/I

TPC8.2AHM3_A/I

Опис: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

Опис: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8022-H(TE12LQ,M

Опис: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8.2HM3/86A

TPC8.2HM3/86A

Опис: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
TPC8042(TE12L,Q,M)

TPC8042(TE12L,Q,M)

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8036-H(TE12L,QM

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8051-H(TE12L,Q)

TPC8051-H(TE12L,Q)

Опис: MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.