Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN2105CT(TPL3)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3600960Зображення RN2105CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN2105CT(TPL3)
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    20V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    CST3
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    2.2 kOhms
  • Потужність - Макс
    50mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-101, SOT-883
  • Інші імена
    RN2105CT(TPL3)TR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    120 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    50mA
RN2106CT(TPL3)

RN2106CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2103CT(TPL3)

RN2103CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2108ACT(TPL3)

RN2108ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2107CT(TPL3)

RN2107CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2102CT(TPL3)

RN2102CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2104CT(TPL3)

RN2104CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2104MFV,L3F

RN2104MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2104(T5L,F,T)

RN2104(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2107ACT(TPL3)

RN2107ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2103ACT(TPL3)

RN2103ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2105MFV,L3F

RN2105MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2106ACT(TPL3)

RN2106ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2104ACT(TPL3)

RN2104ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2108(T5L,F,T)

RN2108(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2106(T5L,F,T)

RN2106(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS NPN

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2105ACT(TPL3)

RN2105ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2103MFV,L3F

RN2103MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2103(T5L,F,T)

RN2103(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN2107,LF(CB

RN2107,LF(CB

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти