Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > RN1606(TE85L,F)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
624331Зображення RN1606(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

RN1606(TE85L,F)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN1606(TE85L,F)
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Пакет пристрою постачальника
    SM6
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    4.7 kOhms
  • Потужність - Макс
    300mW
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Інші імена
    RN1606(TE85LF)CT
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    250MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA
RN152-4-02-6M8

RN152-4-02-6M8

Опис: CMC 6.8MH 4A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN1702JE(TE85L,F)

RN1702JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1607(TE85L,F)

RN1607(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1611(TE85L,F)

RN1611(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1601(TE85L,F)

RN1601(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1608(TE85L,F)

RN1608(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN152-6-02-3M9

RN152-6-02-3M9

Опис: CMC 3.9MH 6A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN152-8-02

RN152-8-02

Опис: CMC 2.7MH 8A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN1610(TE85L,F)

RN1610(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1602(TE85L,F)

RN1602(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN152-8-02-2M7

RN152-8-02-2M7

Опис: CMC 2.7MH 8A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN1703JE(TE85L,F)

RN1703JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1605TE85LF

RN1605TE85LF

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1704JE(TE85L,F)

RN1704JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1701JE(TE85L,F)

RN1701JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1604(TE85L,F)

RN1604(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1673(TE85L,F)

RN1673(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN152GT2R

RN152GT2R

Опис: DIODE PIN SWITCH 30V VMD2

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RN152-6-02

RN152-6-02

Опис: CMC 3.9MH 6A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN1609(TE85L,F)

RN1609(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти