Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN1418(TE85L,F)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3283135

RN1418(TE85L,F)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN1418(TE85L,F)
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    S-Mini
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    10 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    47 kOhms
  • Потужність - Макс
    200mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    RN1418(TE85LF)TR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    250MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA
RN1408,LF(B

RN1408,LF(B

Опис: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1415(TE85L,F)

RN1415(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN142-1.4-02-27M

RN142-1.4-02-27M

Опис: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN142-1-02-33M

RN142-1-02-33M

Опис: CMC 33MH 1A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN141STE61

RN141STE61

Опис: DIODE FAST REC 50V 100MA 2EMD TR

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RN1412TE85LF

RN1412TE85LF

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN142-2-02

RN142-2-02

Опис: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN1414,LF

RN1414,LF

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN142-1-02

RN142-1-02

Опис: COMMON MODE CHOKE 33MH 1A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN142-2-02-6M8

RN142-2-02-6M8

Опис: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN1409,LF

RN1409,LF

Опис: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1417(TE85L,F)

RN1417(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN142-0.5-02-82M

RN142-0.5-02-82M

Опис: CMC 82MH 500MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN141GT2R

RN141GT2R

Опис: DIODE PIN HF SW 50V 100MA VMD2

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RN1406,LF

RN1406,LF

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1413(TE85L,F)

RN1413(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1416,LF

RN1416,LF

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN142-0.5-02

RN142-0.5-02

Опис: CMC 82MH 500MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN142-1.4-02

RN142-1.4-02

Опис: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RN1406S,LF(D

RN1406S,LF(D

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти