Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - РФ > MT3S111P(TE12L,F)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3862290Зображення MT3S111P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.94
10+
$0.83
25+
$0.75
100+
$0.656
250+
$0.576
500+
$0.509
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MT3S111P(TE12L,F)
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    MT3S111P(TE12L,F).pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    6V
  • Тип транзистора
    NPN
  • Пакет пристрою постачальника
    PW-MINI
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    1W
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-243AA
  • Інші імена
    MT3S111P(TE12LF)CT
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Фігура шуму (dB Typ @ f)
    1.25dB @ 1GHz
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    12 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Посилення
    10.5dB
  • Частота - перехід
    8GHz
  • Детальний опис
    RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MT3S111P(TE12L,F)".
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Опис: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Опис: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Опис: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Опис: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT3B6115

MT3B6115

Опис: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Виробники: Agastat Relays / TE Connectivity
В наявності
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Опис: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Опис: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Опис: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Опис: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Опис: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Опис: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Опис: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Опис: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Опис: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Опис: PARALLEL/PSRAM 48M

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Опис: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT3B3024

MT3B3024

Опис: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Виробники: Agastat Relays / TE Connectivity
В наявності
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Опис: PARALLEL/PSRAM 80M

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

Опис: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
MT3B30C4

MT3B30C4

Опис: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Виробники: Agastat Relays / TE Connectivity
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.