Для відвідувачів Electronica 2024
Забронюйте свій час зараз!
Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду
Зал С5 Бут 220
Попередня реєстрація
Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались!
Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Далі - продукти, пов'язані з "MT38W201DAA033JZZI.X68".
Опис: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V
Виробники: Agastat Relays / TE Connectivity
В наявності
Опис: IC FLASH RAM 512M PARALLEL
Виробники: Micron Technology
В наявності
Опис: PARALLEL/MOBILE DDR 576M
Виробники: Micron Technology
В наявності
Опис: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
Опис: IC FLASH RAM 512M PARALLEL
Виробники: Micron Technology
В наявності
Виробники: Micron Technology
В наявності
Опис: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V
Виробники: Micron Technology
В наявності
Опис: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL
Виробники: Micron Technology
В наявності
Опис: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP
Виробники: Micron Technology
В наявності
Опис: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V
Виробники: Agastat Relays / TE Connectivity
В наявності
Опис: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V
Виробники: Agastat Relays / TE Connectivity
В наявності
Опис: IC FLASH RAM 256M PARAL 56VFBGA
Виробники: Micron Technology
В наявності
Опис: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
Опис: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
Опис: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA
Виробники: Micron Technology
В наявності
Опис: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
Опис: IC FLASH RAM 512M PARALLEL
Виробники: Micron Technology
В наявності
Опис: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
Опис: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
Виробники: Micron Technology
В наявності
