Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви > HN1B04FE-Y,LF
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
474822Зображення HN1B04FE-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-Y,LF

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
4000+
$0.053
8000+
$0.046
12000+
$0.039
28000+
$0.037
100000+
$0.031
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    HN1B04FE-Y,LF
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    HN1B04FE-Y,LF.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Тип транзистора
    NPN, PNP
  • Пакет пристрою постачальника
    ES6
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    100mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Інші імена
    HN1B04FE-Y(T5L,F,T
    HN1B04FE-Y(T5LFTTR
    HN1B04FE-Y(T5LFTTR-ND
    HN1B04FE-Y,LF(B
    HN1B04FE-Y,LF(T
    HN1B04FE-YLF(TTR
    HN1B04FE-YLF(TTR-ND
    HN1B04FE-YLFTR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    80MHz
  • Детальний опис
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    120 @ 2mA, 6V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    150mA

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "HN1B04FE-Y,LF".
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B01F-GR(TE85L,F

HN1B01F-GR(TE85L,F

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B01FDW1T1

HN1B01FDW1T1

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F)

Опис: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B04FE-GR,LF

HN1B04FE-GR,LF

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1A01FU-GR,LF

HN1A01FU-GR,LF

Опис: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1A01FE-Y,LF

HN1A01FE-Y,LF

Опис: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HN1A01FU-Y,LF

HN1A01FU-Y,LF

Опис: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Опис: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B01FU-GR,LF

HN1B01FU-GR,LF

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.