Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви > HN1C01F-GR(TE85L,F
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1221188Зображення HN1C01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage

HN1C01F-GR(TE85L,F

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.41
10+
$0.292
25+
$0.227
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    HN1C01F-GR(TE85L,F
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    HN1C01F-GR(TE85L,F.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Пакет пристрою постачальника
    SM6
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    300mW
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Інші імена
    HN1C01F-GR(TE85LF)CT
    HN1C01F-GR(TE85LF)CT-ND
    HN1C01F-GR(TE85LFCT
  • Робоча температура
    125°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    800MHz
  • Детальний опис
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 800MHz 300mW Surface Mount SM6
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    120 @ 2mA, 6V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    150mA

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "HN1C01F-GR(TE85L,F".
HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F)

Опис: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Опис: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B04FE-GR,LF

HN1B04FE-GR,LF

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1D01FU,LF

HN1D01FU,LF

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B01FU-GR,LF

HN1B01FU-GR,LF

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Опис: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1B01FDW1T1

HN1B01FDW1T1

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

Опис: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

Опис: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.