Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - JFETs > 2SK34260TL
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5902831Зображення 2SK34260TLPanasonic

2SK34260TL

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.73
10+
$0.617
100+
$0.463
500+
$0.339
1000+
$0.262
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    2SK34260TL
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Пакет пристрою постачальника
    SSSMini3-F1
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    100mW
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    SOT-723
  • Інші імена
    2SK34260TLCT
  • Робоча температура
    -20°C ~ 80°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Тип FET
    N-Channel
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    JFET N-Channel 2mA 100mW Surface Mount SSSMini3-F1
  • Поточний струмінь (Id) - макс
    2mA
  • Поточний - Drain (ідентифікатори) @ Vds (Vgs = 0)
    107µA @ 2V
  • Номер базової частини
    2SK3426
2SK3435-Z-E1-AZ

2SK3435-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3430(02)-S6-AZ

2SK3430(02)-S6-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3372GUL

2SK3372GUL

Опис: JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3

Виробники: Panasonic
В наявності
2SK3466(TE24L,Q)

2SK3466(TE24L,Q)

Опис: MOSFET N-CH 500V 5A SC-97

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SK3431-AZ

2SK3431-AZ

Опис: MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3386(0)-Z-E1-AZ

2SK3386(0)-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3377-Z-E1-AZ

2SK3377-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3385(0)-Z-E1-AZ

2SK3385(0)-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3476(TE12L,Q)

2SK3476(TE12L,Q)

Опис: MOSF RF N CH 20V 3A PW-X

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SK3377-Z-E2-AZ

2SK3377-Z-E2-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3388(TE24L,Q)

2SK3388(TE24L,Q)

Опис: MOSFET N-CH 250V 20A SC-97

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SK3430-Z-E1-AZ

2SK3430-Z-E1-AZ

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3431-Z-E1-AZ

2SK3431-Z-E1-AZ

Опис: MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3475TE12LF

2SK3475TE12LF

Опис: MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SK3430-AZ

2SK3430-AZ

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3403(Q)

2SK3403(Q)

Опис: MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SK3377(0)-Z-E2-AZ

2SK3377(0)-Z-E2-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3377(0)-Z-E1-AZ

2SK3377(0)-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3402(0)-Z-E1-AZ

2SK3402(0)-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SK3462(TE16L1,NQ)

2SK3462(TE16L1,NQ)

Опис: MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти