Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > 2SJ058200L
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4209379Зображення 2SJ058200LPanasonic

2SJ058200L

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    2SJ058200L
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    U-G2
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 1A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1W (Ta), 10W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    2SJ058200LDKR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    400pF @ 20V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    200V
  • Детальний опис
    P-Channel 200V 2A (Tc) 1W (Ta), 10W (Tc) Surface Mount U-G2
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)
2SJ053600L

2SJ053600L

Опис: MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P

Виробники: Panasonic
В наявності
2SJ03640QL

2SJ03640QL

Опис: JFET P-CH 20MA 150MW SMINI3P

Виробники: Panasonic
В наявності
2SJ01640RA

2SJ01640RA

Опис: JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1

Виробники: Panasonic
В наявності
2SJ438(CANO,Q,M)

2SJ438(CANO,Q,M)

Опис: MOSFET P-CH

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SJ358C(0)-T1-AZ

2SJ358C(0)-T1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SJ304(F)

2SJ304(F)

Опис: MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SJ380(F)

2SJ380(F)

Опис: MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SJ0536G0L

2SJ0536G0L

Опис: MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3

Виробники: Panasonic
В наявності
2SJ438(CANO,A,Q)

2SJ438(CANO,A,Q)

Опис: MOSFET P-CH

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SJ01630RL

2SJ01630RL

Опис: JFET P-CH 20MA 150MW MINI-3

Виробники: Panasonic
В наявності
2SJ168TE85LF

2SJ168TE85LF

Опис:

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SJ360(F)

2SJ360(F)

Опис: MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SJ360(TE12L,F)

2SJ360(TE12L,F)

Опис: MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SJ377(TE16R1,NQ)

2SJ377(TE16R1,NQ)

Опис: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SJ305TE85LF

2SJ305TE85LF

Опис: MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SJ162-E

2SJ162-E

Опис: MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
2SJ438(AISIN,A,Q)

2SJ438(AISIN,A,Q)

Опис: MOSFET P-CH

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SJ0674G0L

2SJ0674G0L

Опис: MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3

Виробники: Panasonic
В наявності
2SJ438(AISIN,Q,M)

2SJ438(AISIN,Q,M)

Опис: MOSFET P-CH

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
2SJ067400L

2SJ067400L

Опис: MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3

Виробники: Panasonic
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти