Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MXLSMCGLCE51AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5419040

MXLSMCGLCE51AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MXLSMCGLCE51AE3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MXLSMCGLCE51AE3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    56.7V
  • Напруга - розподіл (мін)
    51V
  • Напруга - розбивка
    SMCG (DO-215AB)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    1500W (1.5kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    18.2A
  • Поляризація
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Інші імена
    1086-12012
    1086-12012-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MXLSMCGLCE51AE3
  • Опис
    TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    82.4V
  • Потужність @ Частота
    100pF @ 1MHz
  • Двонаправлені канали
    No

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MXLSMCGLCE51AE3".
MXLSMCGLCE54A

MXLSMCGLCE54A

Опис: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE64AE3

MXLSMCGLCE64AE3

Опис: TVS DIODE 64VWM 103VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE48AE3

MXLSMCGLCE48AE3

Опис: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE60AE3

MXLSMCGLCE60AE3

Опис: TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE45A

MXLSMCGLCE45A

Опис: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE45AE3

MXLSMCGLCE45AE3

Опис: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE64A

MXLSMCGLCE64A

Опис: TVS DIODE 64VWM 103VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE40AE3

MXLSMCGLCE40AE3

Опис: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE36AE3

MXLSMCGLCE36AE3

Опис: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE6.5A

MXLSMCGLCE6.5A

Опис: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE58AE3

MXLSMCGLCE58AE3

Опис: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE40A

MXLSMCGLCE40A

Опис: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE58A

MXLSMCGLCE58A

Опис: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE48A

MXLSMCGLCE48A

Опис: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE6.5AE3

MXLSMCGLCE6.5AE3

Опис: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE43A

MXLSMCGLCE43A

Опис: TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE60A

MXLSMCGLCE60A

Опис: TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE54AE3

MXLSMCGLCE54AE3

Опис: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE51A

MXLSMCGLCE51A

Опис: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE43AE3

MXLSMCGLCE43AE3

Опис: TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.