Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MSMBJ30A
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
170796Зображення MSMBJ30AMicrosemi

MSMBJ30A

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.01
10+
$1.817
25+
$1.622
100+
$1.46
250+
$1.298
500+
$1.136
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MSMBJ30A
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    30V
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    48.4V
  • Напруга - розподіл (мін)
    33.3V
  • Однонаправлені канали
    1
  • Тип
    Zener
  • Пакет пристрою постачальника
    SMBJ (DO-214AA)
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Захист силової лінії
    No
  • Потужність - пік імпульсу
    600W
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    DO-214AA, SMB
  • Інші імена
    1086-8089
    1086-8089-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    13 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    12.4A
  • Потужність @ Частота
    -
  • Програми
    General Purpose
MSMBJ30AE3/TR

MSMBJ30AE3/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K4.5

MSMBJ2K4.5

Опис: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ33A/TR

MSMBJ33A/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ30AE3

MSMBJ30AE3

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K3.3

MSMBJ2K3.3

Опис: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ33A

MSMBJ33A

Опис: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ30CAE3

MSMBJ30CAE3

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K3.0E3

MSMBJ2K3.0E3

Опис: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K4.0

MSMBJ2K4.0

Опис: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ33AE3

MSMBJ33AE3

Опис: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ30CA

MSMBJ30CA

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ33CA

MSMBJ33CA

Опис: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K3.3E3

MSMBJ2K3.3E3

Опис: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K5.0E3

MSMBJ2K5.0E3

Опис: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K3.0

MSMBJ2K3.0

Опис: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ30A/TR

MSMBJ30A/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
MSMBJ2K5.0

MSMBJ2K5.0

Опис: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K4.5E3

MSMBJ2K4.5E3

Опис: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ2K4.0E3

MSMBJ2K4.0E3

Опис: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MSMBJ33AE3/TR

MSMBJ33AE3/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти