Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MSMBJ2K3.3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
887768Зображення MSMBJ2K3.3Microsemi Corporation

MSMBJ2K3.3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MSMBJ2K3.3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MSMBJ2K3.3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    4.6V
  • Напруга - розподіл (мін)
    3.3V
  • Напруга - розбивка
    SMBJ (DO-214AA)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    2000W (2kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    10A (8/20µs)
  • Поляризація
    DO-214AA, SMB
  • Інші імена
    1086-8081
    1086-8081-MIL
    Q8692517
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MSMBJ2K3.3
  • Опис
    TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    5.8V
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    No

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MSMBJ2K3.3".
MSMBJ2K5.0E3

MSMBJ2K5.0E3

Опис: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ2K4.0E3

MSMBJ2K4.0E3

Опис: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ2K4.5

MSMBJ2K4.5

Опис: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ30A/TR

MSMBJ30A/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ30A

MSMBJ30A

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ2K5.0

MSMBJ2K5.0

Опис: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ28AE3/TR

MSMBJ28AE3/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ28A

MSMBJ28A

Опис: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ28CAE3

MSMBJ28CAE3

Опис: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ2K3.3E3

MSMBJ2K3.3E3

Опис: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ26CAE3

MSMBJ26CAE3

Опис: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ2K4.5E3

MSMBJ2K4.5E3

Опис: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ28CA/TR

MSMBJ28CA/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ2K4.0

MSMBJ2K4.0

Опис: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ2K3.0

MSMBJ2K3.0

Опис: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ30AE3

MSMBJ30AE3

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ2K3.0E3

MSMBJ2K3.0E3

Опис: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ28A/TR

MSMBJ28A/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ28CA

MSMBJ28CA

Опис: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ28AE3

MSMBJ28AE3

Опис: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.