Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MAP6KE8.2CAE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
580075

MAP6KE8.2CAE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MAP6KE8.2CAE3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MAP6KE8.2CAE3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    7.02V
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    12.1V
  • Напруга - розподіл (мін)
    7.79V
  • Тип
    Zener
  • Пакет пристрою постачальника
    T-18
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Захист силової лінії
    No
  • Потужність - пік імпульсу
    600W
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    T-18, Axial
  • Інші імена
    1086-4608
    1086-4608-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    50A
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    1
  • Програми
    General Purpose

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MAP6KE8.2CAE3".
MAP6KE9.1AE3

MAP6KE9.1AE3

Опис: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE75CAE3

MAP6KE75CAE3

Опис: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE7.5CA

MAP6KE7.5CA

Опис: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE82AE3

MAP6KE82AE3

Опис: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE82A

MAP6KE82A

Опис: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE7.5AE3

MAP6KE7.5AE3

Опис: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE9.1A

MAP6KE9.1A

Опис: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE9.1CA

MAP6KE9.1CA

Опис: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE82CA

MAP6KE82CA

Опис: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE82CAE3

MAP6KE82CAE3

Опис: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE75CA

MAP6KE75CA

Опис: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE75AE3

MAP6KE75AE3

Опис: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE75A

MAP6KE75A

Опис: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE8.2AE3

MAP6KE8.2AE3

Опис: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE7.5CAE3

MAP6KE7.5CAE3

Опис: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE91A

MAP6KE91A

Опис: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE8.2CA

MAP6KE8.2CA

Опис: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE9.1CAE3

MAP6KE9.1CAE3

Опис: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE8.2A

MAP6KE8.2A

Опис: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE91AE3

MAP6KE91AE3

Опис: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.