Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MAP6KE8.2CA
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1105289

MAP6KE8.2CA

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MAP6KE8.2CA
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    7.02V
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    12.1V
  • Напруга - розподіл (мін)
    7.79V
  • Тип
    Zener
  • Пакет пристрою постачальника
    T-18
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Захист силової лінії
    No
  • Потужність - пік імпульсу
    600W
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    T-18, Axial
  • Інші імена
    1086-4607
    1086-4607-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    50A
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    1
  • Програми
    General Purpose
MAP6KE8.2A

MAP6KE8.2A

Опис: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE9.1AE3

MAP6KE9.1AE3

Опис: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE9.1CAE3

MAP6KE9.1CAE3

Опис: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE7.5CAE3

MAP6KE7.5CAE3

Опис: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE9.1A

MAP6KE9.1A

Опис: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE8.2CAE3

MAP6KE8.2CAE3

Опис: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE75CAE3

MAP6KE75CAE3

Опис: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE75AE3

MAP6KE75AE3

Опис: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE9.1CA

MAP6KE9.1CA

Опис: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE91A

MAP6KE91A

Опис: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE75A

MAP6KE75A

Опис: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE7.5AE3

MAP6KE7.5AE3

Опис: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE7.5CA

MAP6KE7.5CA

Опис: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE82A

MAP6KE82A

Опис: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE82CA

MAP6KE82CA

Опис: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE7.5A

MAP6KE7.5A

Опис: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE82AE3

MAP6KE82AE3

Опис: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE82CAE3

MAP6KE82CAE3

Опис: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE8.2AE3

MAP6KE8.2AE3

Опис: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE75CA

MAP6KE75CA

Опис: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти