Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > JAN1N5660A
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6343285

JAN1N5660A

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    JAN1N5660A
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 111V 179V DO13
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    111V
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    179V
  • Напруга - розподіл (мін)
    124V
  • Однонаправлені канали
    1
  • Тип
    Zener
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-13 (DO-202AA)
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • Захист силової лінії
    No
  • Потужність - пік імпульсу
    1500W (1.5kW)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    DO-13
  • Інші імена
    1086-15826
    1086-15826-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    8.4A
  • Потужність @ Частота
    -
  • Програми
    General Purpose
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Опис: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5646A

JAN1N5646A

Опис: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Опис: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5651A

JAN1N5651A

Опис: TVS DIODE 47.8V 77V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5802

JAN1N5802

Опис: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Опис: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5806

JAN1N5806

Опис: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5804

JAN1N5804

Опис: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Опис: TVS DIODE 53V 85V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Опис: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5649A

JAN1N5649A

Опис: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5647A

JAN1N5647A

Опис: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Опис: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Опис: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5772

JAN1N5772

Опис: TVS DIODE 10CFLATPACK

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Опис: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Опис: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти