Будинок > Продукти > Інтегровані схеми (ICS) > Пам'ять > MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
427357

MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2000+
$6.786
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    15ns
  • Напруга - Постачання
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Технологія
    SDRAM - DDR2
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Інші імена
    MT47H64M8SH-25E AAT:H TR-ND
    MT47H64M8SH-25EAAT:HTR
  • Робоча температура
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    512Mb (64M x 8)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps
  • Часова частота
    400MHz
  • Час доступу
    400ps
MT47R128M8CF-25:H

MT47R128M8CF-25:H

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8SH-187E:H TR

MT47H64M8SH-187E:H TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47R256M4CF-25E:H

MT47R256M4CF-25E:H

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8CF-25E L:G

MT47H64M8CF-25E L:G

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8CF-25E L:G TR

MT47H64M8CF-25E L:G TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47R128M8CF-3:H

MT47R128M8CF-3:H

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8CF-25E:G

MT47H64M8CF-25E:G

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8SH-25E:H

MT47H64M8SH-25E:H

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47R512M4EB-25E:C

MT47R512M4EB-25E:C

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8JN-25E:G

MT47H64M8JN-25E:G

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8JN-25E IT:G

MT47H64M8JN-25E IT:G

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8SH-25E IT:H

MT47H64M8SH-25E IT:H

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8SH-25E AIT:H

MT47H64M8SH-25E AIT:H

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47R256M8EB-25E:C

MT47R256M8EB-25E:C

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47R256M4CF-3:H

MT47R256M4CF-3:H

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8CF-25E:G TR

MT47H64M8CF-25E:G TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47R64M16HR-25:H

MT47R64M16HR-25:H

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8SH-25E AAT:H

MT47H64M8SH-25E AAT:H

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8CF-25E IT:G TR

MT47H64M8CF-25E IT:G TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M8CF-25E IT:G

MT47H64M8CF-25E IT:G

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти