Будинок > Продукти > Інтегровані схеми (ICS) > Пам'ять > MT47H512M4THN-3:E TR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4422845Зображення MT47H512M4THN-3:E TRMicron Technology

MT47H512M4THN-3:E TR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2000+
$62.993
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MT47H512M4THN-3:E TR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    15ns
  • Напруга - Постачання
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Технологія
    SDRAM - DDR2
  • Пакет пристрою постачальника
    63-FBGA (9x11.5)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    63-FBGA
  • Інші імена
    MT47H512M4THN-3:E TR-ND
    MT47H512M4THN-3:ETR
  • Робоча температура
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    2Gb (512M x 4)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 333MHz 450ps 63-FBGA (9x11.5)
  • Часова частота
    333MHz
  • Номер базової частини
    MT47H512M4
  • Час доступу
    450ps
MT47H64M16BT-37E:A

MT47H64M16BT-37E:A

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M16B7-5E:A TR

MT47H64M16B7-5E:A TR

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M16BT-3:A TR

MT47H64M16BT-3:A TR

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M16B7-37E:A

MT47H64M16B7-37E:A

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M16B7-37E:A TR

MT47H64M16B7-37E:A TR

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT47H64M16B7-5E:A

MT47H64M16B7-5E:A

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти