Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5403538

MT29F512G08EMCBBJ5-10:B

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    -
  • Напруга - Постачання
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Технологія
    FLASH - NAND
  • Серія
    -
  • Робоча температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Non-Volatile
  • Розмір пам'яті
    512Gb (64G x 8)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    FLASH
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 100MHz
  • Часова частота
    100MHz
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR

MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR

Опис: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR

MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR

Опис: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

Опис: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR

MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR

Опис: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

Опис: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR

Опис: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

Опис: TLC 512G 64GX8 VBGA DDP

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

Опис: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F64G08ABEBBM84C3WC1

MT29F64G08ABEBBM84C3WC1

Опис: SLC 64G DIE 8GX8

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B

MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B

Опис: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

Опис: TLC 512G 64GX8 VBGA DDP

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR

MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR

Опис: IC FLASH 64G PARALLEL 83MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

Опис: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

Опис: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

Опис: NAND FLASH

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

Опис: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F64G08ABEBBH6-12:B

MT29F64G08ABEBBH6-12:B

Опис: IC FLASH 64G PARALLEL 83MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

Опис: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001

Опис: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR

MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR

Опис: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти