Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RW1C020UNT2R
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4828164Зображення RW1C020UNT2RLAPIS Semiconductor

RW1C020UNT2R

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
8000+
$0.222
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RW1C020UNT2R
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±10V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    6-WEMT
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    400mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Інші імена
    RW1C020UNT2R-ND
    RW1C020UNT2RTR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    180pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    2nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 2A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)
RW1A030APT2CR

RW1A030APT2CR

Опис: MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RW1S0BAR005JET

RW1S0BAR005JET

Опис: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RW1S0BA1R00JT

RW1S0BA1R00JT

Опис: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RW1A025APT2CR

RW1A025APT2CR

Опис: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RW1S0BA1R00J

RW1S0BA1R00J

Опис: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RW10062A

RW10062A

Опис: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

Виробники: Essentra Components
В наявності
RW1S0BAR005J

RW1S0BAR005J

Опис: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RW1E025RPT2CR

RW1E025RPT2CR

Опис: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RW1C015UNT2R

RW1C015UNT2R

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RW1S0BA1R00JE

RW1S0BA1R00JE

Опис: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RW1A020ZPT2R

RW1A020ZPT2R

Опис: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RW1S0BAR010F

RW1S0BAR010F

Опис: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RW1S0BA1R00JET

RW1S0BA1R00JET

Опис: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RW1A013ZPT2R

RW1A013ZPT2R

Опис: MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RW1S0BAR005JE

RW1S0BAR005JE

Опис: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RW10032A

RW10032A

Опис: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

Виробники: Essentra Components
В наявності
RW1E015RPT2R

RW1E015RPT2R

Опис: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RW1E014SNT2R

RW1E014SNT2R

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти