Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RW1C015UNT2R
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1819386Зображення RW1C015UNT2RLAPIS Semiconductor

RW1C015UNT2R

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
8000+
$0.183
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RW1C015UNT2R
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RW1C015UNT2R.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±10V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    6-WEMT
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    400mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    110pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    1.8nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RW1C015UNT2R".
RW1S0BAR005J

RW1S0BAR005J

Опис: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RFQ
RW10062A

RW10062A

Опис: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

Виробники: Essentra Components
В наявності
RFQ
RW10032A

RW10032A

Опис: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

Виробники: Essentra Components
В наявності
RFQ
RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

Опис: MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RW1S0BA1R00JT

RW1S0BA1R00JT

Опис: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RFQ
RW1S0BA1R00JE

RW1S0BA1R00JE

Опис: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RFQ
RW1A013ZPT2R

RW1A013ZPT2R

Опис: MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RW1A020ZPT2R

RW1A020ZPT2R

Опис: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RW1E014SNT2R

RW1E014SNT2R

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RW1E015RPT2R

RW1E015RPT2R

Опис: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RW1E025RPT2CR

RW1E025RPT2CR

Опис: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RW1A025APT2CR

RW1A025APT2CR

Опис: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RW1S0BA1R00JET

RW1S0BA1R00JET

Опис: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RFQ
RW1S0BA1R00J

RW1S0BA1R00J

Опис: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RFQ
RW1S0BAR010F

RW1S0BAR010F

Опис: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RFQ
RW1A030APT2CR

RW1A030APT2CR

Опис: MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RW1S0BAR005JET

RW1S0BAR005JET

Опис: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RFQ
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RW1S0BAR005JE

RW1S0BAR005JE

Опис: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Виробники: Ohmite
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.