Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RU1C002UNTCL
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
9289Зображення RU1C002UNTCLLAPIS Semiconductor

RU1C002UNTCL

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.074
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RU1C002UNTCL
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.RU1C002UNTCL.pdf
    2.RU1C002UNTCL.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    UMT3F
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    150mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-85
  • Інші імена
    RU1C002UNTCL-ND
    RU1C002UNTCLTR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.2V, 2.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RU1C002UNTCL".
RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

Опис: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL

Опис: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RU1E002SPTCL

RU1E002SPTCL

Опис: MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

Опис: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

Опис: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

Опис: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

Опис: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

Опис: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

Опис: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RU1608JR100CS

RU1608JR100CS

Опис: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1608JR056CS

RU1608JR056CS

Опис: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

Опис: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

Опис: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

Опис: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

Опис: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1C001UNTCL

RU1C001UNTCL

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RU1608JR051CS

RU1608JR051CS

Опис: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

Опис: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

Опис: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

Опис: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

Виробники: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.