Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RQ6E085BNTCR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1095768Зображення RQ6E085BNTCRLAPIS Semiconductor

RQ6E085BNTCR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.384
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RQ6E085BNTCR
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.RQ6E085BNTCR.pdf
    2.RQ6E085BNTCR.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-457
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.25W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Інші імена
    RQ6E085BNTCRTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    32.7nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    8.5A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RQ6E085BNTCR".
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Опис: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IRFD224PBF

IRFD224PBF

Опис: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

Опис: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
PSMN7R6-60PS,127

PSMN7R6-60PS,127

Опис: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

Опис: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
NP80N055KLE-E1-AY

NP80N055KLE-E1-AY

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Опис: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

Опис: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Опис: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Виробники: EPC
В наявності
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Опис: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
MCH3376-TL-E

MCH3376-TL-E

Опис: MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IRFPS3810

IRFPS3810

Опис: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IRL2203NSPBF

IRL2203NSPBF

Опис: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
AOD452

AOD452

Опис: MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
IPI50R199CPXKSA1

IPI50R199CPXKSA1

Опис: MOSFET N-CH 500V 17A TO262

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Опис: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD30N06TM

FQD30N06TM

Опис: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.