Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RQ6E045BNTCR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3862342Зображення RQ6E045BNTCRLAPIS Semiconductor

RQ6E045BNTCR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.137
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RQ6E045BNTCR
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.RQ6E045BNTCR.pdf
    2.RQ6E045BNTCR.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TSMT6 (SC-95)
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.25W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Інші імена
    RQ6E045BNTCRTR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    330pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    8.4nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RQ6E045BNTCR".
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Опис: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
STP3LN62K3

STP3LN62K3

Опис: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
FCH110N65F-F155

FCH110N65F-F155

Опис: MOSFET N-CH 650V 35A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Опис: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
TLC530FTU

TLC530FTU

Опис: MOSFET N-CH 330V 7A TO220-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HAT2099H-EL-E

HAT2099H-EL-E

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IPC171N04NX1SA1

IPC171N04NX1SA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 1A SAWN ON FOIL

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Опис: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IRLMS1902TRPBF

IRLMS1902TRPBF

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IXFN44N100P

IXFN44N100P

Опис: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
FDS6299S

FDS6299S

Опис: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS4744NT3G

NTMFS4744NT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V 7A SO-8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

Опис: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

Опис: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Опис: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

Опис: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.