Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RAL025P01TCR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
131127Зображення RAL025P01TCRLAPIS Semiconductor

RAL025P01TCR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.63
10+
$0.444
100+
$0.292
500+
$0.172
1000+
$0.133
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RAL025P01TCR
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.RAL025P01TCR.pdf
    2.RAL025P01TCR.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    -8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TUMT6
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    320mW (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    6-SMD, Flat Leads
  • Інші імена
    RAL025P01TCRCT
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2000pF @ 6V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    12V
  • Детальний опис
    P-Channel 12V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RAL025P01TCR".
IRF7807VD1

IRF7807VD1

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IXTH90N15T

IXTH90N15T

Опис: MOSFET N-CH 150V 90A TO247

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
RAL045P01TCR

RAL045P01TCR

Опис: MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
NTB30N20

NTB30N20

Опис: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8832-F085

FDB8832-F085

Опис: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
STD19NF20

STD19NF20

Опис: MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
FDP12N60NZ

FDP12N60NZ

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVTFS5C471NLWFTAG

NVTFS5C471NLWFTAG

Опис: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IRF6100PBF

IRF6100PBF

Опис: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
NTTFS5820NLTWG

NTTFS5820NLTWG

Опис: MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IRFS3307

IRFS3307

Опис: MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
RAL035P01TCR

RAL035P01TCR

Опис: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
94-4764

94-4764

Опис: MOSFET N-CH 30V 140A TO-262

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 12A SC-70

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
STF20NM60D

STF20NM60D

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
IXTC220N075T

IXTC220N075T

Опис: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IXTV18N60PS

IXTV18N60PS

Опис: MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
AOL1208

AOL1208

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A 8ULTRASO

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.