Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN2990UFZ-7B
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3605627Зображення DMN2990UFZ-7BDiodes Incorporated

DMN2990UFZ-7B

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.63
10+
$0.447
100+
$0.293
500+
$0.173
1000+
$0.133
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN2990UFZ-7B
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN2990UFZ-7B.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    X2-DFN0606-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    990 mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    320mW (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    3-XFDFN
  • Інші імена
    DMN2990UFZ-7BDICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    55.2pF @ 16V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    0.5nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.2V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 250mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)
  • Номер базової частини
    DMN2990

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN2990UFZ-7B".
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Опис: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Опис: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Опис: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Опис: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

Опис: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Опис: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Опис: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.