Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IPB072N15N3GATMA1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
156101Зображення IPB072N15N3GATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB072N15N3GATMA1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$3.31
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IPB072N15N3GATMA1
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IPB072N15N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PG-TO263-3-2
  • Серія
    OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    7.2 mOhm @ 100A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    300W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    IPB072N15N3 G
    IPB072N15N3 G-ND
    IPB072N15N3 GTR-ND
    IPB072N15N3G
    IPB072N15N3GATMA1TR
    SP000386664
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    5470pF @ 75V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    93nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    8V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    150V
  • Детальний опис
    N-Channel 150V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IPB072N15N3GATMA1".
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

Опис: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB06CN10N G

IPB06CN10N G

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB070N06L G

IPB070N06L G

Опис: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB06N03LA

IPB06N03LA

Опис: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Опис: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Опис: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Опис: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Опис: MV POWER MOS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Опис: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.