Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IPB067N08N3GATMA1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4869135Зображення IPB067N08N3GATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB067N08N3GATMA1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$1.232
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IPB067N08N3GATMA1
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IPB067N08N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3.5V @ 73µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серія
    OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    6.7 mOhm @ 73A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    136W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    IPB067N08N3 G
    IPB067N08N3 G-ND
    IPB067N08N3 GTR-ND
    IPB067N08N3G
    IPB067N08N3GATMA1TR
    SP000443636
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3840pF @ 40V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    80V
  • Детальний опис
    N-Channel 80V 80A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IPB067N08N3GATMA1".
IPB05N03LB G

IPB05N03LB G

Опис: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB06N03LA

IPB06N03LA

Опис: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB05N03LA G

IPB05N03LA G

Опис: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB065N03LGATMA1

IPB065N03LGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB05N03LAT

IPB05N03LAT

Опис: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

Опис: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB070N06L G

IPB070N06L G

Опис: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB065N06L G

IPB065N06L G

Опис: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Опис: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB05N03LB

IPB05N03LB

Опис: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB06CN10N G

IPB06CN10N G

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Опис: MV POWER MOS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.