Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IXFN170N10
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1751865Зображення IXFN170N10IXYS Corporation

IXFN170N10

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
10+
$34.946
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXFN170N10
  • Виробник / марка
    IXYS / Littelfuse
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IXFN170N10.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 8mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-227B
  • Серія
    HiPerFET™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 500mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    600W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    18 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    10300pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    515nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 170A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    170A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IXFN170N10".
IXFN130N30

IXFN130N30

Опис: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN200N10P

IXFN200N10P

Опис: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

Виробники: IXYS
В наявності
RFQ
IXFN180N15P

IXFN180N15P

Опис: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN140N25T

IXFN140N25T

Опис: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN180N07

IXFN180N07

Опис: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN150N15

IXFN150N15

Опис: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN160N30T

IXFN160N30T

Опис: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

Опис: MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN150N10

IXFN150N10

Опис: MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN170N25X3

IXFN170N25X3

Опис: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN150N65X2

IXFN150N65X2

Опис: MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN180N10

IXFN180N10

Опис: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Опис: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN140N20P

IXFN140N20P

Опис: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN132N50P3

IXFN132N50P3

Опис: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN170N30P

IXFN170N30P

Опис: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN200N07

IXFN200N07

Опис: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN180N20

IXFN180N20

Опис: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN140N30P

IXFN140N30P

Опис: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.