Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IXFN120N65X2
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
151132Зображення IXFN120N65X2IXYS Corporation

IXFN120N65X2

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$32.15
10+
$29.742
100+
$25.402
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXFN120N65X2
  • Виробник / марка
    IXYS / Littelfuse
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IXFN120N65X2.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5.5V @ 8mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-227B
  • Серія
    HiPerFET™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 54A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    890W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Інші імена
    632519
    IXFN120N65X2X
    IXFN120N65X2X-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    15500pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    225nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    650V
  • Детальний опис
    N-Channel 650V 108A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    108A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IXFN120N65X2".
IXFN120N20

IXFN120N20

Опис: MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN140N30P

IXFN140N30P

Опис: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN100N50P

IXFN100N50P

Опис: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3

Опис: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN100N25

IXFN100N25

Опис: MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN110N60P3

IXFN110N60P3

Опис: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN102N30P

IXFN102N30P

Опис: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

Виробники: IXYS
В наявності
RFQ
IXFN110N85X

IXFN110N85X

Опис: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN150N10

IXFN150N10

Опис: MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN140N20P

IXFN140N20P

Опис: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN100N65X2

IXFN100N65X2

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN150N65X2

IXFN150N65X2

Опис: MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN160N30T

IXFN160N30T

Опис: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN140N25T

IXFN140N25T

Опис: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN130N30

IXFN130N30

Опис: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN150N15

IXFN150N15

Опис: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN170N10

IXFN170N10

Опис: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN106N20

IXFN106N20

Опис: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN120N25

IXFN120N25

Опис: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN132N50P3

IXFN132N50P3

Опис: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.