Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > IS43DR86400C-3DBLI-TR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
407433

IS43DR86400C-3DBLI-TR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2000+
$7.259
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IS43DR86400C-3DBLI-TR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    15ns
  • Напруга - Постачання
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Технологія
    SDRAM - DDR2
  • Пакет пристрою постачальника
    60-TWBGA (8x10.5)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    60-TFBGA
  • Робоча температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    512Mb (64M x 8)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA (8x10.5)
  • Часова частота
    333MHz
  • Час доступу
    450ps
IS43DR82560C-3DBLI-TR

IS43DR82560C-3DBLI-TR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400C-3DBI-TR

IS43DR86400C-3DBI-TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400E-25DBLI-TR

IS43DR86400E-25DBLI-TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400C-25DBL

IS43DR86400C-25DBL

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400D-25DBLI-TR

IS43DR86400D-25DBLI-TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400C-25DBLI

IS43DR86400C-25DBLI

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400C-3DBLI

IS43DR86400C-3DBLI

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400E-3DBL

IS43DR86400E-3DBL

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400C-25DBL-TR

IS43DR86400C-25DBL-TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400C-3DBI

IS43DR86400C-3DBI

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400E-25DBL

IS43DR86400E-25DBL

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400C-3DBL-TR

IS43DR86400C-3DBL-TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400D-3DBI

IS43DR86400D-3DBI

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400D-3DBLI-TR

IS43DR86400D-3DBLI-TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400E-25DBLI

IS43DR86400E-25DBLI

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400C-3DBL

IS43DR86400C-3DBL

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400D-3DBLI

IS43DR86400D-3DBLI

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400D-25DBLI

IS43DR86400D-25DBLI

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400D-3DBI-TR

IS43DR86400D-3DBI-TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності
IS43DR86400C-25DBLI-TR

IS43DR86400C-25DBLI-TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Виробники: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти