Будинок > Продукти > Інтегровані схеми (ICS) > Пам'ять > 71V632S7PFGI8
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1133243Зображення 71V632S7PFGI8IDT (Integrated Device Technology)

71V632S7PFGI8

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$4.834
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    71V632S7PFGI8
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    -
  • Напруга - Постачання
    3.135 V ~ 3.63 V
  • Технологія
    SRAM - Synchronous
  • Пакет пристрою постачальника
    100-TQFP (14x14)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    100-LQFP
  • Інші імена
    IDT71V632S7PFGI8
    IDT71V632S7PFGI8-ND
  • Робоча температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    2Mb (64K x 32)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    SRAM
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SRAM - Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 32) Parallel 66MHz 7ns 100-TQFP (14x14)
  • Часова частота
    66MHz
  • Номер базової частини
    IDT71V632
  • Час доступу
    7ns
71V65603S100BQ

71V65603S100BQ

Опис: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V65603S100BQG8

71V65603S100BQG8

Опис: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V632S6PFG

71V632S6PFG

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V632S7PFG

71V632S7PFG

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V632S6PFG8

71V632S6PFG8

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V632S5PFGI8

71V632S5PFGI8

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V65603S100BQG

71V65603S100BQG

Опис: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V65603S100BQGI

71V65603S100BQGI

Опис: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V65603S100BGI8

71V65603S100BGI8

Опис: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V65603S100BQGI8

71V65603S100BQGI8

Опис: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V632S6PFGI

71V632S6PFGI

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V632S7PFG8

71V632S7PFG8

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V632S5PFG8

71V632S5PFG8

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V65603S100BQI

71V65603S100BQI

Опис: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V65603S100BGI

71V65603S100BGI

Опис: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V65603S100BG8

71V65603S100BG8

Опис: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V632S7PFGI

71V632S7PFGI

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V632S6PFGI8

71V632S6PFGI8

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V65603S100BG

71V65603S100BG

Опис: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
71V632S5PFGI

71V632S5PFGI

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти