Будинок > Продукти > Інтегровані схеми (ICS) > Пам'ять > 70V659S12BF8
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5149928Зображення 70V659S12BF8IDT (Integrated Device Technology)

70V659S12BF8

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$96.844
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    70V659S12BF8
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    12ns
  • Напруга - Постачання
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Технологія
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Пакет пристрою постачальника
    208-CABGA (15x15)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    208-LFBGA
  • Інші імена
    IDT70V659S12BF8
    IDT70V659S12BF8-ND
  • Робоча температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    4.5Mb (128K x 36)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    SRAM
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Детальний опис
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 12ns 208-CABGA (15x15)
  • Номер базової частини
    IDT70V659
  • Час доступу
    12ns
70V659S12DRGI8

70V659S12DRGI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12BCI

70V659S12BCI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12BFI8

70V659S12BFI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12DR

70V659S12DR

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12DRGI

70V659S12DRGI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12BCGI

70V659S12BCGI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S10BFG

70V659S10BFG

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S10DRG

70V659S10DRG

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S15BC8

70V659S15BC8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12BFGI8

70V659S12BFGI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12BFGI

70V659S12BFGI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12BC8

70V659S12BC8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S10DR

70V659S10DR

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S15BC

70V659S15BC

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12BFI

70V659S12BFI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12BCI8

70V659S12BCI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S10BFG8

70V659S10BFG8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12BC

70V659S12BC

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12DRI

70V659S12DRI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V659S12BF

70V659S12BF

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти