Будинок > Продукти > Інтегровані схеми (ICS) > Пам'ять > 70V631S12BCI
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
261220Зображення 70V631S12BCIIDT (Integrated Device Technology)

70V631S12BCI

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
12+
$128.993
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    70V631S12BCI
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    12ns
  • Напруга - Постачання
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Технологія
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Пакет пристрою постачальника
    256-CABGA (17x17)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tray
  • Пакет / Корпус
    256-LBGA
  • Інші імена
    IDT70V631S12BCI
    IDT70V631S12BCI-ND
  • Робоча температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    4.5Mb (256K x 18)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    SRAM
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Детальний опис
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (256K x 18) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17)
  • Номер базової частини
    IDT70V631
  • Час доступу
    12ns
70V631S10PRF

70V631S10PRF

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12BFGI

70V631S12BFGI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12PRF8

70V631S12PRF8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12BF

70V631S12BF

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S10BFG

70V631S10BFG

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S10BFG8

70V631S10BFG8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12BFI8

70V631S12BFI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S10PRFG8

70V631S10PRFG8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S10PRFG

70V631S10PRFG

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12BFI

70V631S12BFI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12BC

70V631S12BC

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S10PRFI

70V631S10PRFI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S10PRFI8

70V631S10PRFI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12BF8

70V631S12BF8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12BC8

70V631S12BC8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12PRFGI

70V631S12PRFGI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12BFGI8

70V631S12BFGI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12BCI8

70V631S12BCI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S12PRF

70V631S12PRF

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70V631S10PRF8

70V631S10PRF8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти