Будинок > Продукти > Інтегровані схеми (ICS) > Пам'ять > 70T659S10BCI
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6717832Зображення 70T659S10BCIIDT (Integrated Device Technology)

70T659S10BCI

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
12+
$135.463
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    70T659S10BCI
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    10ns
  • Напруга - Постачання
    2.4 V ~ 2.6 V
  • Технологія
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Пакет пристрою постачальника
    256-CABGA (17x17)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tray
  • Пакет / Корпус
    256-LBGA
  • Інші імена
    IDT70T659S10BCI
    IDT70T659S10BCI-ND
  • Робоча температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    4.5Mb (128K x 36)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    SRAM
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Детальний опис
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17)
  • Номер базової частини
    IDT70T659
  • Час доступу
    10ns
70T659S10BC

70T659S10BC

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T659S12BC

70T659S12BC

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T659S12BCI8

70T659S12BCI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T659S10BFI

70T659S10BFI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T659S10DR

70T659S10DR

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T653MS12BCI

70T653MS12BCI

Опис: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T659S10BC8

70T659S10BC8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T653MS15BC8

70T653MS15BC8

Опис: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T653MS12BCI8

70T653MS12BCI8

Опис: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T653MS10BCG

70T653MS10BCG

Опис: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T653MS12BCGI

70T653MS12BCGI

Опис: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T659S10BCI8

70T659S10BCI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T653MS15BC

70T653MS15BC

Опис: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T659S12BFI8

70T659S12BFI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T659S12BC8

70T659S12BC8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T659S12BCI

70T659S12BCI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T653MS12BC8

70T653MS12BC8

Опис: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T659S10BFI8

70T659S10BFI8

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T653MS12BC

70T653MS12BC

Опис: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
70T659S12BFI

70T659S12BFI

Опис: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти