Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDN359BN
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5560950

FDN359BN

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDN359BN
  • Виробник / марка
    Fairchild (onsemi)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDN359BN.pdf
  • Напруга - випробування
    650pF @ 15V
  • Напруга - розбивка
    SuperSOT-3
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    46 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серія
    PowerTrench®
  • Статус RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.7A (Ta)
  • Поляризація
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    FDN359BNFSCT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    FDN359BN
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    7nC @ 5V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    3V @ 250µA
  • Особливість FET
    N-Channel
  • Розгорнутий опис
    N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    -
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    30V
  • Коефіцієнт ємності
    500mW (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDN359BN".
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN360P

FDN360P

Опис: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN339AN

FDN339AN

Опис: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN371N

FDN371N

Опис: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN338P_G

FDN338P_G

Опис: INTEGRATED CIRCUIT

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN342P

FDN342P

Опис: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Опис: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN340P

FDN340P

Опис: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN358P

FDN358P

Опис: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN357N

FDN357N

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN537N

FDN537N

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN5618P_G

FDN5618P_G

Опис: INTEGRATED CIRCUIT

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Опис: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN338P

FDN338P

Опис: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN372S

FDN372S

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN5630

FDN5630

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.