Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDN359BN
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4304532

FDN359BN

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.146
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDN359BN
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.FDN359BN.pdf
    2.FDN359BN.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SuperSOT-3
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    46 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    500mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    FDN359BN-ND
    FDN359BN_F095
    FDN359BN_F095TR
    FDN359BN_F095TR-ND
    FDN359BNF095
    FDN359BNFSTR
    FDN359BNFSTR-ND
    FDN359BNOSTR
    FDN359BNTR
    FDN359BNTR-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    42 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    650pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    7nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDN359BN".
FDN5630

FDN5630

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Опис: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN372S

FDN372S

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN5618P_G

FDN5618P_G

Опис: INTEGRATED CIRCUIT

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN339AN

FDN339AN

Опис: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Опис: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN342P

FDN342P

Опис: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN537N

FDN537N

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN338P_G

FDN338P_G

Опис: INTEGRATED CIRCUIT

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN340P

FDN340P

Опис: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN357N

FDN357N

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN371N

FDN371N

Опис: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN358P

FDN358P

Опис: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN360P

FDN360P

Опис: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Виробники: Fairchild/ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.