Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIS435DNT-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
776794Зображення SIS435DNT-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS435DNT-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.334
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIS435DNT-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIS435DNT-T1-GE3.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    5.4 mOhm @ 13A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.7W (Ta), 39W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Інші імена
    SIS435DNT-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    5700pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    180nC @ 8V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    P-Channel 20V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29

Тарифна загроза Трампа, Nvidia, пос...

2024/11/28

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIS435DNT-T1-GE3".
SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS456DN-T1-GE3

SIS456DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS454DN-T1-GE3

SIS454DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.