Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIR873DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3743532Зображення SIR873DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR873DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.93
10+
$1.746
100+
$1.403
500+
$1.091
1000+
$0.904
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIR873DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIR873DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    47.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    104W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIR873DP-T1-GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1805pF @ 75V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    150V
  • Детальний опис
    P-Channel 150V 37A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    37A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIR873DP-T1-GE3".
SIR870ADP-T1-RE3

SIR870ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR870ADP-T1-GE3

SIR870ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR862DP-T1-GE3

SIR862DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR876ADP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR872DP-T1-GE3

SIR872DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR866DP-T1-GE3

SIR866DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR876DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR874DP-T1-GE3

SIR874DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR864DP-T1-GE3

SIR864DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR878DP-T1-GE3

SIR878DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.