Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHP11N80E-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2964517Зображення SIHP11N80E-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHP11N80E-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$4.09
10+
$3.648
100+
$2.992
500+
$2.423
1000+
$2.043
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHP11N80E-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
  • Технічні таблиці
    SIHP11N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220AB
  • Серія
    E
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    440 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    179W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1670pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    88nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    800V
  • Детальний опис
    N-Channel 800V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHP11N80E-GE3".
SIHJ8N60E-T1-GE3

SIHJ8N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP14N60E-GE3

SIHP14N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHJ6N65E-T1-GE3

SIHJ6N65E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP10N40D-GE3

SIHP10N40D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP12N50E-GE3

SIHP12N50E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP15N60E-E3

SIHP15N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP14N50D-E3

SIHP14N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP12N65E-GE3

SIHP12N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP10N40D-E3

SIHP10N40D-E3

Опис: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP15N50E-GE3

SIHP15N50E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP12N50C-E3

SIHP12N50C-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP14N50D-GE3

SIHP14N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP12N60E-E3

SIHP12N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.