Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHJ7N65E-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5168237Зображення SIHJ7N65E-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHJ7N65E-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$1.285
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHJ7N65E-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIHJ7N65E-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    598 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    96W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIHJ7N65E-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    820pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    650V
  • Детальний опис
    N-Channel 650V 7.9A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7.9A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHJ7N65E-T1-GE3".
SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH21N65EF-T1-GE3

SIHH21N65EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP10N40D-E3

SIHP10N40D-E3

Опис: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH26N60EF-T1-GE3

SIHH26N60EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP12N60E-E3

SIHP12N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP10N40D-GE3

SIHP10N40D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHJ6N65E-T1-GE3

SIHJ6N65E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH24N65E-T1-GE3

SIHH24N65E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP12N50C-E3

SIHP12N50C-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP11N80E-GE3

SIHP11N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHJ8N60E-T1-GE3

SIHJ8N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP12N50E-GE3

SIHP12N50E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH26N60E-T1-GE3

SIHH26N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH24N65EF-T1-GE3

SIHH24N65EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.