Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHG33N65E-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3857974Зображення SIHG33N65E-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG33N65E-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$8.13
10+
$7.313
100+
$6.013
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHG33N65E-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIHG33N65E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-247AC
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 16.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    313W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-247-3
  • Інші імена
    SIHG33N65E-GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4040pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    173nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    650V
  • Детальний опис
    N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    32.4A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHG33N65E-GE3".
SIHG33N60E-E3

SIHG33N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG47N60EF-GE3

SIHG47N60EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG460B-GE3

SIHG460B-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG44N65EF-GE3

SIHG44N65EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG40N60E-GE3

SIHG40N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG33N65EF-GE3

SIHG33N65EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG47N60E-GE3

SIHG47N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG32N50D-GE3

SIHG32N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG32N50D-E3

SIHG32N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG28N65EF-GE3

SIHG28N65EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG35N60E-GE3

SIHG35N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG47N60AEL-GE3

SIHG47N60AEL-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG30N60E-E3

SIHG30N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHG30N60AEL-GE3

SIHG30N60AEL-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.