Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIB488DK-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3390947Зображення SIB488DK-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB488DK-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.216
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIB488DK-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIB488DK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 6.3A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Інші імена
    SIB488DK-T1-GE3TR
    SIB488DKT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    725pF @ 6V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    20nC @ 8V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    12V
  • Детальний опис
    N-Channel 12V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIB488DK-T1-GE3".
SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB800EDK-T1-GE3

SIB800EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIBF-10-F-S-AD

SIBF-10-F-S-AD

Опис: .050 SIBF ASSEMBLY

Виробники: Samtec, Inc.
В наявності
RFQ
SIBF-25-F-S-AD

SIBF-25-F-S-AD

Опис: .050 SIBF ASSEMBLY

Виробники: Samtec, Inc.
В наявності
RFQ
SIB914DK-T1-GE3

SIB914DK-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB900EDK-T1-GE3

SIB900EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB911DK-T1-E3

SIB911DK-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIBF-20-F-S-AD

SIBF-20-F-S-AD

Опис: .050 SIBF ASSEMBLY

Виробники: Samtec, Inc.
В наявності
RFQ
SIBF-05-F-S-AD

SIBF-05-F-S-AD

Опис: .050 SIBF ASSEMBLY

Виробники: Samtec, Inc.
В наявності
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB911DK-T1-GE3

SIB911DK-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.