Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIB417EDK-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
134316Зображення SIB417EDK-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB417EDK-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.478
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIB417EDK-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIB417EDK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±5V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    58 mOhm @ 5.8A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Інші імена
    SIB417EDK-T1-GE3TR
    SIB417EDKT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    33 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    565pF @ 4V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.2V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    8V
  • Детальний опис
    P-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIB417EDK-T1-GE3".
SIB488DK-T1-GE3

SIB488DK-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB411DK-T1-E3

SIB411DK-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB412DK-T1-E3

SIB412DK-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.